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振华科技:高压范畴正在展开硅基超结MOS及氮化镓HEMT研发作业

来源:爱游戏开户app    发布时间:2025-02-18 02:39:05

  同花顺300033)金融研究中心02月13日讯,有出资者向振华科技000733)发问, 我国450公里太空400v高压碳化硅功率器材初次验证成功,贵司有时机运用此技能吗

  公司答复表明,您好,公司全力展开以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体,现在公司碳化硅器材有碳化硅SBD和碳化硅MOSFET,产品掩盖600V~1700V等十余款类型。一起公司也在全力展开航天用抗辐射功率器材,低压范畴选用硅基技能道路,已构成系列化产品;高压范畴正在展开硅基超结MOS及氮化镓HEMT研发作业。感谢您对公司的重视,请注意出资危险。